10月31日，安森美官微公布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相干运用的功率密度、能效及耐用性树立新标杆。该技能于安森美纽约锡拉丘兹的工场研发及制造，并已经得到涵盖垂直GaN技能的基础工艺、器件设计、制造以和体系立异的130多项全世界专利。
据先容，安森美的垂直氮化镓技能采用单芯片设计，可应答1,200伏和以上高压，高频开关年夜电流，能效卓着。基在该技能构建的高端电源体系能降低近50%的能量损耗，同时因其更高的事情频率，于是电容器及电感等被动元件尺寸可缩减约一半。并且，与今朝市售的横向GaN器件比拟，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一。
比拟起今朝市售的年夜大都GaN器件采用的非氮化镓衬底，如硅或者蓝宝石衬底。对于在超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技能，使电流可以或许垂直流过芯片，而不是沿外貌横向流动。这设计可实现更高的功率密度、更优秀的热不变性，且于极度前提下机能依旧稳健。依附这些上风，vGaN周全逾越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）及蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，提供更高的耐压能力、开关频率、靠得住性以和耐用性。这有助在开发更小、更轻巧、更高效的电源体系，同时降低散热需乞降总体体系成本。
新一代 GaN-on-GaN 功率半导体可以或许使电流垂直流过化合物半导体，能实现更高的事情电压及更快的开关频率，助力AI 数据中央、电动汽车（EV）、可再生能源，以和航空航天等范畴实现更节能、更轻量紧凑的体系。
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